分离式半导体产品 SI7964DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7964DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.16100
SI4933DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH DUAL 12V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4818DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 0 2,500:$1.09755
SQJ844EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.08000
SI7964DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 9.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8 Dual
包装: 带卷 (TR)