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分离式半导体产品 SI4562DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4562DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 0 2,500:$1.09755
SQJ844EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.08000
SI4562DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: -
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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