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分离式半导体产品 CSD86330Q3D品牌、价格、PDF参数

CSD86330Q3D • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
CSD86330Q3D Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 0 1:$2.39000
10:$2.16000
25:$1.93520
100:$1.74000
250:$1.54500
500:$1.35000
1,000:$1.11750
CSD86330Q3D Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 0 2,500:$1.01300
5,000:$0.97500
12,500:$0.93800
25,000:$0.92300
62,500:$0.90000
CSD86330Q3D • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 N 沟道（半桥）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.6 毫欧 @ 14A，8V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 12.5V
功率 - 最大: 6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-LDFN
供应商设备封装: 8-SON（3.3x3.3）
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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