型号
分离式半导体产品 SI4943BDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4943BDY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4943BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
0
2,500:$0.90450
SI4943BDY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 P 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
6.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
19 毫欧 @ 8.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
25nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.1W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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