型号
分离式半导体产品 SI4816DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4816DY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4816DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
0
2,500:$1.10700
SI4562DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
0
2,500:$1.09755
SQJ844EP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
0
3,000:$1.08000
SI4816DY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5.3A,7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
22 毫欧 @ 6.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1W,1.25W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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