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分离式半导体产品 BSS806N H6327品牌、价格、PDF参数

BSS806N H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSS806N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 0 3,000:$0.08880
6,000:$0.07992
15,000:$0.07104
30,000:$0.06660
75,000:$0.05905
150,000:$0.05550
BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 15,294 1:$1.83000
10:$1.56700
25:$1.41040
100:$1.27960
250:$1.14908
500:$0.99238
1,000:$0.83568
2,500:$0.75734
BSS806N H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 750mV @ 11µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 529pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: PG-SOT23-3
包装: 带卷 (TR)
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