分离式半导体产品 SI8800EDB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8800EDB-T2-E1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 12,000 3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SI8800EDB-T2-E1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: -
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装: 4-Microfoot
包装: Digi-Reel®