型号
分离式半导体产品 SI8800EDB-T2-E1品牌、价格、PDF参数
SI8800EDB-T2-E1
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI8800EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
12,000
3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SI8800EDB-T2-E1
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
80 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
8.3nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
500mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装:
4-Microfoot
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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