分离式半导体产品 SIHP12N60E-E3品牌、价格、PDF参数

SIHP12N60E-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHP12N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB 983 1:$2.70000
25:$2.17520
100:$1.95750
250:$1.74000
500:$1.52250
1,000:$1.26150
2,500:$1.17450
5,000:$1.13100
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 12,000 3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SIHP12N60E-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 380 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 937pF @ 100V
功率 - 最大: 147W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 散装