型号
分离式半导体产品 BSC12DN20NS3 G品牌、价格、PDF参数
BSC12DN20NS3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BSC12DN20NS3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
15,294
1:$1.83000
10:$1.56700
25:$1.41040
100:$1.27960
250:$1.14908
500:$0.99238
1,000:$0.83568
2,500:$0.75734
BSC12DN20NS3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
11.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
125 毫欧 @ 5.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
8.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
680pF @ 100V
功率 - 最大:
50W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerTDFN
供应商设备封装:
PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:
Digi-Reel®
电子产品资料
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