分离式半导体产品 IPB039N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB039N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB039N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 1,118 1:$4.55000
10:$4.09500
25:$3.71560
100:$3.33630
250:$3.03300
500:$2.65388
IPB039N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 0 1,000:$2.12310
2,000:$2.01695
5,000:$1.93354
10,000:$1.88046
25,000:$1.81980
IPP111N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 495 1:$4.48000
10:$3.99600
25:$3.59640
100:$3.27670
250:$2.95704
500:$2.65334
1,000:$2.23776
2,500:$2.12587
5,000:$2.03796
IPB039N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.9 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8410pF @ 50V
功率 - 最大: 214W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装: PG-TO263-7
包装: 剪切带 (CT)