分离式半导体产品 SI4102DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4102DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 2,841 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 2,841 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.40600
5,000:$0.38570
12,500:$0.36975
25,000:$0.35960
62,500:$0.34800
SI4102DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 158 毫欧 @ 2.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 370pF @ 50V
功率 - 最大: 4.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: Digi-Reel®