分离式半导体产品 SI4102DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4102DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4102DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC	2,841	1:$1.10000 25:$0.87000 100:$0.78300 250:$0.68152 500:$0.60900 1,000:$0.47850
SI4102DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC	2,500	2,500:$0.40600 5,000:$0.38570 12,500:$0.36975 25,000:$0.35960 62,500:$0.34800

SI4102DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	158 毫欧 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	370pF @ 50V
功率 - 最大:	4.8W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOICN
包装:	剪切带 (CT)

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