分离式半导体产品 IPB039N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB039N10N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPB039N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	0	1,000:$2.12310 2,000:$2.01695 5,000:$1.93354 10,000:$1.88046 25,000:$1.81980
IPP111N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3	495	1:$4.48000 10:$3.99600 25:$3.59640 100:$3.27670 250:$2.95704 500:$2.65334 1,000:$2.23776 2,500:$2.12587 5,000:$2.03796

IPB039N10N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	160A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	3.9 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	8410pF @ 50V
功率 - 最大:	214W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装:	PG-TO263-7
包装:	带卷 (TR)

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