分离式半导体产品 IPP111N15N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP111N15N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPP111N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3	495	1:$4.48000 10:$3.99600 25:$3.59640 100:$3.27670 250:$2.95704 500:$2.65334 1,000:$2.23776 2,500:$2.12587 5,000:$2.03796

IPP111N15N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	83A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	11.1 毫欧 @ 83A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	3230pF @ 75V
功率 - 最大:	214W
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3
供应商设备封装:	PG-TO220-3
包装:	管件

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