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分离式半导体产品 SIE878DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE878DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V POLARPAK 0 1:$1.80000
25:$1.39040
100:$1.26180
250:$1.13300
500:$0.97850
1,000:$0.82400
SIE878DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 45A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.2 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12.5V
功率 - 最大: 25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（L）
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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