分离式半导体产品 IPI65R660CFD品牌、价格、PDF参数

IPI65R660CFD • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPI65R660CFD	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262	498	1:$3.00000 10:$2.70800 25:$2.41800 100:$2.17620 250:$1.93440 500:$1.69260 1,000:$1.40244 2,500:$1.30572 5,000:$1.25736

IPI65R660CFD • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	660 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	615pF @ 100V
功率 - 最大:	62.5W
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装:	PG-TO262-3
包装:	管件

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