型号
分离式半导体产品 SI4190ADY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4190ADY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSF N CH 100V 18.4A SO8
0
2,500:$0.67500
5,000:$0.65000
12,500:$0.62500
25,000:$0.61250
62,500:$0.60000
SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
5,534
1:$1.82000
25:$1.44000
100:$1.29600
250:$1.12800
500:$1.00800
1,000:$0.79200
SI4190ADY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
18.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
8.8 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1970pF @ 50V
功率 - 最大:
6W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SO
包装:
带卷 (TR)
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