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分离式半导体产品 SIHU5N50D-E3品牌、价格、PDF参数

SIHU5N50D-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHU5N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK 0 3,000:$0.49518
6,000:$0.47042
15,000:$0.45097
30,000:$0.43859
75,000:$0.42444
SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 0 2,500:$0.49420
SI7136DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
IRF710STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK 0 800:$0.63578
SI3445DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6-TSOP 0 3,000:$0.63000
SI4354DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.61600
SQD23N06-31L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V TO252 0 2,000:$0.61460
SIHU5N50D-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备封装: TO-251AA
包装: 带卷 (TR)
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