型号
分离式半导体产品 IPB049NE7N3 G品牌、价格、PDF参数
IPB049NE7N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPB049NE7N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
960
1:$2.96000
10:$2.53900
25:$2.28480
100:$2.07320
250:$1.86164
500:$1.60778
IPB049NE7N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.9 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.8V @ 91µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4750pF @ 37.5V
功率 - 最大:
150W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
PG-TO263-3
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
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