分离式半导体产品 SI1058X-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI1058X-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC89 0 3,000:$0.17050
SI7880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.27575
SI7856ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.27575
SI3457BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP 0 3,000:$0.15655
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 0 3,000:$0.14880
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 75 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI1058X-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: -
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 91 毫欧 @ 1.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 380pF @ 10V
功率 - 最大: 236mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SC-89-6
包装: 带卷 (TR)