型号
分离式半导体产品 SI3442CDV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI3442CDV-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI3442CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP
75
1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI3442CDV-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
27 毫欧 @ 6.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
335pF @ 10V
功率 - 最大:
2.7W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装:
6-TSOP
包装:
Digi-Reel®
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