型号

分离式半导体产品 NTD6600N-1G品牌、价格、PDF参数

NTD6600N-1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NTD6600N-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 12A IPAK 0
NTJS3151PT2 ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 0
NTD6600N-1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 146 毫欧 @ 6A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V
功率 - 最大: 1.28W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020