分离式半导体产品 SI3442CDV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3442CDV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 75 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 0 3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 0 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
IRF9Z24STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK 0 800:$0.79514
SI7404DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.76950
SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.79110
SI3442CDV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 6.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 335pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 剪切带 (CT)