型号

分离式半导体产品 SI2335DS-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI2335DS-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 0 3,000:$0.14880
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 75 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI2335DS-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 51 毫欧 @ 4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1225pF @ 6V
功率 - 最大: 750mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3（TO-236）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020