型号
分离式半导体产品 SI4890DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4890DY-T1-GE3
• 品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4890DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
0
2,500:$1.28250
SI4890DY-T1-GE3
• PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
12 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
-
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
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