分离式半导体产品 SP8M51TB1品牌、价格、PDF参数

SP8M51TB1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SP8M51TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 100V SOP8 2,500 2,500:$0.60200
5,000:$0.57190
10,000:$0.54825
25,000:$0.53320
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 30V 9A SOP8 3,349 1:$1.68000
25:$1.32320
100:$1.19070
250:$1.03636
500:$0.92610
1,000:$0.72765
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 30V 9A SOP8 3,349 1:$1.68000
25:$1.32320
100:$1.19070
250:$1.03636
500:$0.92610
1,000:$0.72765
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V SOP8 4,878 1:$1.77000
25:$1.39800
100:$1.25820
250:$1.09512
500:$0.97860
1,000:$0.76890
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC 0
SP8M51TB1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A,2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)(最大): -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)