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分离式半导体产品 SH8M4TB1品牌、价格、PDF参数

SH8M4TB1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC 0
SH8M4TB1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A，7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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