分离式半导体产品 SIS902DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIS902DN-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIS902DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK 6,745 1:$0.90000
25:$0.69720
100:$0.61500
250:$0.53300
500:$0.45100
1,000:$0.35875
SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK 3,000 3,000:$0.33350
6,000:$0.31050
15,000:$0.29900
30,000:$0.28750
75,000:$0.28290
150,000:$0.27600
SI4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.35000
5,000:$0.33250
12,500:$0.31875
25,000:$0.31000
62,500:$0.30000
SIS902DN-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 186 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 38V
功率 - 最大: 15.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装: PowerPAK? 1212-8 Dual
包装: Digi-Reel®