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分离式半导体产品 PMWD20XN,118品牌、价格、PDF参数

PMWD20XN,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PMWD20XN,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP 0
PMWD20XN,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫欧 @ 4.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 740pF @ 16V
功率 - 最大: 4.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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