型号
分离式半导体产品 SI4500BDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4500BDY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4500BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
0
2,500:$0.43680
5,000:$0.41496
12,500:$0.39780
25,000:$0.38688
62,500:$0.37440
SI3586DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
695
1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI3586DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
695
1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4500BDY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
N 和 P 沟道
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
6.6A,3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
20 毫欧 @ 9.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.3W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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