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分离式半导体产品 SI3586DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3586DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 0 3,000:$0.40600
6,000:$0.38570
15,000:$0.36975
30,000:$0.35960
75,000:$0.34800
SI3586DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A，2.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 830mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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