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分离式半导体产品 SI5908DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5908DC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8 151 1:$1.52000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
1,000:$0.66000
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8 151 1:$1.52000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
1,000:$0.66000
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8 0 3,000:$0.56000
6,000:$0.53200
15,000:$0.51000
30,000:$0.49600
75,000:$0.48000
SI5908DC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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