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分离式半导体产品 BSZ42DN25NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ42DN25NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ42DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.54690
10,000:$0.52428
25,000:$0.50989
50,000:$0.49344
IPD068P03L3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 4,964 1:$1.85000
10:$1.58400
25:$1.42600
100:$1.29380
250:$1.16184
500:$1.00340
1,000:$0.84496
BSZ42DN25NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 425 毫欧 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 13µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 100V
功率 - 最大: 33.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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