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分离式半导体产品 BSO080P03NS3E G品牌、价格、PDF参数

BSO080P03NS3E G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 4,970 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 4,970 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
BSO080P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 0 2,500:$0.42140
5,000:$0.40033
12,500:$0.38378
25,000:$0.37324
62,500:$0.36120
BSO080P03NS3E G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 14.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6750pF @ 15V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: PG-DSO-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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