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分离式半导体产品 BSZ22DN20NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ22DN20NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ22DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 7,344 1:$1.59000
10:$1.42100
25:$1.25360
100:$1.12810
250:$0.98184
500:$0.87738
1,000:$0.68937
2,500:$0.64759
BSZ22DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 5,000 5,000:$0.55567
10,000:$0.53270
25,000:$0.51807
50,000:$0.50136
BSZ22DN20NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 225 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 13µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 100V
功率 - 最大: 34W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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