型号
分离式半导体产品 SQ2361EES-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SQ2361EES-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
2,465
1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SQ2361EES-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
150 毫欧 @ 2.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
545pF @ 30V
功率 - 最大:
2W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:
SOT-23-3(TO-236)
包装:
Digi-Reel®
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