分离式半导体产品 BSC16DN25NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC16DN25NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 5,000 5,000:$0.86255
10,000:$0.82938
25,000:$0.81279
50,000:$0.79620
IPD65R600E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 4,881 1:$2.22000
10:$1.90700
25:$1.71600
100:$1.55700
250:$1.39812
500:$1.20746
1,000:$1.01680
IPD65R600E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 2,500 2,500:$0.85792
5,000:$0.82615
12,500:$0.79438
25,000:$0.77849
62,500:$0.76260
BSC16DN25NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装: 带卷 (TR)