分离式半导体产品 IPD65R600E6品牌、价格、PDF参数

IPD65R600E6 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPD65R600E6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3	4,881	1:$2.22000 10:$1.90700 25:$1.71600 100:$1.55700 250:$1.39812 500:$1.20746 1,000:$1.01680
IPD65R600E6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3	2,500	2,500:$0.85792 5,000:$0.82615 12,500:$0.79438 25,000:$0.77849 62,500:$0.76260

IPD65R600E6 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	7.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	600 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 210µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	440pF @ 100V
功率 - 最大:	63W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	PG-TO252-3
包装:	剪切带 (CT)

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