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分离式半导体产品 BSC16DN25NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC16DN25NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 9,980 1:$2.32000
10:$1.99100
25:$1.79160
100:$1.62560
250:$1.45972
500:$1.26066
1,000:$1.06160
2,500:$0.96208
BSC16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 9,980 1:$2.32000
10:$1.99100
25:$1.79160
100:$1.62560
250:$1.45972
500:$1.26066
1,000:$1.06160
2,500:$0.96208
BSC16DN25NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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