分离式半导体产品 BSZ16DN25NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ16DN25NS3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
BSZ16DN25NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	8,796	1:$2.43000 10:$2.08100 25:$1.87240 100:$1.69910 250:$1.52572 500:$1.31766 1,000:$1.10960 2,500:$1.00558
IPD110N12N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3	2,500	2,500:$0.89680 5,000:$0.86359 12,500:$0.83038 25,000:$0.81377 62,500:$0.79716

BSZ16DN25NS3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	165 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	920pF @ 100V
功率 - 最大:	62.5W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商设备封装:	-
包装:	剪切带 (CT)

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