分离式半导体产品 IPD110N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD110N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 3,486 1:$2.33000
10:$1.99300
25:$1.79360
100:$1.62750
250:$1.46148
500:$1.26218
1,000:$1.06288
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 3,486 1:$2.33000
10:$1.99300
25:$1.79360
100:$1.62750
250:$1.46148
500:$1.26218
1,000:$1.06288
BSP125 L6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 11,060 1:$1.09000
10:$0.97800
25:$0.86320
100:$0.77680
250:$0.67608
500:$0.60418
1,000:$0.47471
BSP125 L6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 8,000 4,000:$0.40278
8,000:$0.38264
12,000:$0.36682
28,000:$0.35675
100,000:$0.34524
IPD110N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 60V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: Digi-Reel®