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分离式半导体产品 IPD034N06N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD034N06N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 2,500 2,500:$1.00184
5,000:$0.96473
12,500:$0.92762
25,000:$0.90907
62,500:$0.89052
BSZ018NE2LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 9,638 1:$2.59000
10:$2.22000
25:$1.99760
100:$1.81280
250:$1.62780
500:$1.40582
1,000:$1.18384
2,500:$1.07286
IPD034N06N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 93µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 30V
功率 - 最大: 167W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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