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分离式半导体产品 SQ2360EES-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SQ2360EES-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 2,164 1:$0.83000
25:$0.64280
100:$0.56700
250:$0.49140
500:$0.41580
1,000:$0.33075
SQ2360EES-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 370pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3（TO-236）
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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