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分离式半导体产品 IPD110N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD110N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 2,500 2,500:$0.89680
5,000:$0.86359
12,500:$0.83038
25,000:$0.81377
62,500:$0.79716
IPD110N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 60V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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