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分离式半导体产品 STB34NM60ND品牌、价格、PDF参数

STB34NM60ND • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STB34NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 0 1,000:$4.79250
2,000:$4.61500
5,000:$4.43750
10,000:$4.36650
25,000:$4.26000
STB34NM60ND • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 14.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 80.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2785pF @ 50V
功率 - 最大: 190W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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