型号
分离式半导体产品 IPD122N10N3 G品牌、价格、PDF参数
IPD122N10N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPD122N10N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
5,000
1:$1.91000
10:$1.64100
25:$1.47680
100:$1.34020
250:$1.20340
500:$1.03930
1,000:$0.87520
IPD122N10N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
59A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
12.2 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.5V @ 46µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2500pF @ 50V
功率 - 最大:
94W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:
PG-TO252-3
包装:
Digi-Reel®
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