型号

分离式半导体产品 BSB044N08NN3 G品牌、价格、PDF参数

BSB044N08NN3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSB044N08NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 5,000 5,000:$1.45643
10,000:$1.41645
25,000:$1.37076
BSB044N08NN3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.4 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 97µ
闸电荷(Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 40V
功率 - 最大: 78W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-WDSON
供应商设备封装: MG-WDSON-2，CanPAK M?
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020