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分离式半导体产品 IPD60R3K3C6品牌、价格、PDF参数

IPD60R3K3C6 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 4,213 1:$0.73000
10:$0.63300
25:$0.56680
100:$0.50010
250:$0.43344
500:$0.36674
1,000:$0.29173
BUZ73A H Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 1,521 1:$1.31000
10:$1.16100
25:$1.04880
100:$0.91780
250:$0.80540
500:$0.71174
1,000:$0.56190
2,500:$0.52444
5,000:$0.49822
IPD60R3K3C6 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 93pF @ 100V
功率 - 最大: 18.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: Digi-Reel®
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