分离式半导体产品 NP80N06PLG-E1B-AY品牌、价格、PDF参数

NP80N06PLG-E1B-AY • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NP80N06PLG-E1B-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 1,964 1:$1.52000
10:$1.36000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
NP80N06PLG-E1B-AY • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.3 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 128nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 剪切带 (CT)